美光的四层单元（QLC）NAND闪存相较于SLC、MLC和TLC NAND，具备更高的存储密度，带来更大容量和设计灵活性。QLC NAND颗粒的容量可达到2Tb，显著提升现代存储设备的空间与性能。
G9 QLC NAND采用六平面NAND架构，提升并行处理能力，支持更多读写指令，显著提升存储设备的总体性能。其I/O传输速率高达3.6GB/s，能够满足数据密集型工作负载，适用于AI训练、机器学习、非结构化数据库、自动驾驶和云计算等高性能应用。
美光在SSD中率先采用了第9代3D QLC NAND技术，推动行业进步，提升了数据中心和端侧设备的性能与容量。
G9 QLC NAND通过高性能与低功耗的结合，推动未来存储领域的创新，帮助多种应用实现更高效的存储解决方案，具备良好的扩展性与能效比。
通过G9 QLC NAND，存储性能与容量得到提升，为数据中心与边缘设备的未来技术发展奠定基础。
