3月1日消息，据媒体报道，R APId US总裁兼首席执行官小池淳义表示，正在加速推进先进制程技术的研发，目标是在1n M工艺节点上将与台积电的技术差距缩小到约6个月。
据了解，台积电的1.4n M和1n M工艺可能会率先部署在中国台湾中部科研园区，名为FAB 25，预计投资约490亿美金，计划建设四座晶圆厂。
其第一阶段的两座晶圆厂专门用于1.4n M工艺，预计在2028年下半年量产，第二阶段再推进到1n M工艺。传闻台积电将在1n M工艺节点首次使用High-NA EUV光刻机，相关开发预计在2030年前完成，并大约在2030年实现量产。
与此同时，R APId US计划今年开始开发1.4n M工艺，量产时间预计为2029年，可能与三星的时间点较为接近。若要在1n M工艺上将与台积电的差距缩小至6个月，意味着R APId US可能需要在2030年下半年至2031年之间进入量产阶段。
R APId US是由索尼、丰田、NTT、三菱、NEC、铠侠和软银等八家日本企业于2022年成立的合资企业，旨在实现本地化先进半导体工艺的设计和制造。
目前，R APId US已在日本北海道千岁市建造了创新集成制造工厂（II-M-1），目标是2027年量产2n M芯片。
此外，R APId US还计划在2027财年（2027年4月至2028年3月）开始建设第二座晶圆厂，并规划更先进的1.4n乃至1n工艺。
