台积电正在筹集更多的资金，向ASML购买更先进制程的EUV光刻机，为新制程做准备。
欧洲微电子研究中心IMEC首席执行官兼总裁LUC Van den hOVe表示，在与ASML公司合作下，更先进的光刻机已取得进展。
IMEC的目标是商业化下一代高分辨率EUV光刻技术高NA EUV光刻技术，ASML把握全球主要先进光刻机产能，目前IMEC与ASML研究新的EUV光刻机，目标是工艺规模缩小到1nM以下。
ASML已完成NXE:5000系列高NA EUV曝光系统基本设计，设备商业化要等到2022年，台积电和三星拿到设备要等到2023年。
台积电在材料上研究，1nM成为可能，台积电和交大联手，开发全球最薄、厚度只有0.7纳米的超薄二维半导体材料绝缘体，可望借此进一步开发出2纳米甚至1纳米的电晶体通道。
台积电正为2nM之后的先进制程持续觅地，包含桥头科、路竹科，均在台积电评估中长期投资设厂的考量之列。
