一键部署OpenClaw
随着人工智能算力的提升，芯片功耗与集成度持续攀升，传统硅基材料在散热方面面临挑战。三安光电运用碳化硅技术，致力于解决高功率芯片散热问题。通过全链条布局，从材料源头入手，三安光电正在推动先进封装技术的发展。
根据统计，全球先进封装市场在2025年预计将达到436.6亿美元。随着市场扩张，AI芯片对更高算力和带宽的需求愈发迫切，产业认为关键材料的创新已成为封装性能瓶颈的核心驱动力。
三安光电在湖南成立的碳化硅中介层、热沉散热和AR光学衬底等项目上，已取得显著进展，目前进入样品交付阶段。
碳化硅中介层：为CoWoS降温
当前主流的CoWoS封装技术中，硅中介层在高功率场景下的散热能力有限。碳化硅的热导率约为硅的三倍，能够有效降低GPU芯片的结温20–30°C，同时降低散热成本约30%。三安光电已实现1-2英寸碳化硅衬底的研发与小批量送样，为AI芯片封装的中介层瓶颈及市场需求做好技术储备。
热沉双路线：金刚石与碳化硅并行
随着封装集成度提升，热管理已从辅助环节升级为核心痛点。三安光电采用碳化硅与金刚石双路线并行策略，其研发的金刚石热沉基板热导率高达2300 W/m·K，电阻率达到2.3 mΩ·cm；经过1000小时的老化测试，该产品在大功率激光器中表现出色，热阻降低了8.1%，并已通过批量交付。
碳化硅光学衬底：撬动AR眼镜新应用
在AR光学领域，碳化硅的折射率高达2.7，热导率是玻璃的百倍以上，能够显著提升全内反射效率，并解决高功率光源散热问题。三安光电在行业内处于领先地位，已向多家终端及光学元件厂商小批量交付，并与客户进行材料与光学设计迭代。
双基地协同：产能矩阵逐步释放
三安光电已在湖南、重庆建立了双基地协同的碳化硅全链产能矩阵。湖南基地的6英寸碳化硅配套产能达到16000片/月，8英寸衬底产能1000片/月，外延2000片/月，8英寸芯片产线已通线；重庆基地8英寸碳化硅衬底产能3000片/月，正逐步释放，形成从衬底到模块的完整制造能力。
随着混合键合、玻璃基板、背面供电等先进封装工艺日益成熟，材料创新将成为技术演进的核心驱动力。三安光电将以更优的热管理性能与产业化能力，深入融入先进封装产业链，为算力时代的散热问题提供基础。
